企业简介
安徽三安光电有限公司 main business:光电科技研究、咨询、服务；电子产品生产、销售；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试、维修；腐蚀品（氨水）批发；自营和代理各类产品和技术进出口业务，但国家限定或禁止企业经营的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）** and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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安徽三安光电有限公司的工商信息
- 340208000010268
- 91340200698989729N
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2010年01月07日
- 林科闯
- 298000.000000
- 2010年01月07日 至 2030年01月06日
- 芜湖市开发区市场监督管理局
- 2017年08月16日
- 芜湖经济技术开发区东梁山路8号
- 光电科技研究、咨询、服务；电子产品生产、销售；超高亮度发光二极管（LED）应用产品系统工程的安装、调试、维修；腐蚀品（氨水）批发；自营和代理各类产品和技术进出口业务，但国家限定或禁止企业经营的商品和技术除外。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）**
安徽三安光电有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 三安光电股份有限公司 | www.sanan-e.com |
| 网站 | 三安光电股份有限公司 | http://www.sanan-e.com/cn/index.asp |
安徽三安光电有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205666251U | 一种自发白光发光二极管 | 2016.10.26 | 本实用新型提出一种自发白光发光二极管结构，一种自发白光发光二极管，包括衬底、缓冲层、第一P型层、第一 |
| 2 | CN105655387A | 一种半导体外延晶片及其制备方法 | 2016.06.08 | 本发明提供一种半导体外延晶片及其制备方法，通过在蓝宝石衬底和外延层之间增设一第一反射层，当采用激光从 |
| 3 | CN105742435A | 一种发光二极管及其制备方法 | 2016.07.06 | 一种发光二极管及其制备方法，发光二极管至少包括一衬底，以及依次沉积于所述衬底上的成核层、缓冲层和外延 |
| 4 | CN205542731U | 一种晶片卡匣 | 2016.08.31 | 本实用新型涉及一种晶片卡匣，具有本体，所述本体包括：底部、两侧壁、卡匣前端、卡匣后端；所述两侧壁通过 |
| 5 | CN205790044U | 一种氮化物发光二极管 | 2016.12.07 | 本实用新型属于半导体，一种氮化物发光二极管，至少包括：一衬底及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、量子阱 |
| 6 | CN105648420A | 一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法 | 2016.06.08 | 本发明提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法，属于半导体制造技术领域，本发明通过在承载盘上铰 |
| 7 | CN105742434A | 一种氮化物发光二极管及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种氮化物发光二极管及其制备方法，包括：提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；依次于所 |
| 8 | CN205630284U | 一种厚度减薄设备 | 2016.10.12 | 一种厚度减薄设备，用于将一加工件减薄一定厚度，至少包括固定盘和位于所述固定盘下方的研磨盘，所述固定盘 |
| 9 | CN106067504A | 一种图形化衬底及其制备方法 | 2016.11.02 | 本发明提供了一种图形化衬底及其制备方法，使用两次显影光刻的工艺，在增加图形高度及底座面积的同时获得适 |
| 10 | CN105762248A | 一种发光二极管及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法，首先于有源层表面形成铟富集层，以利于后 |
| 11 | CN205752222U | 一种LED图形衬底及LED外延片 | 2016.11.30 | 本实用新型属于半导体技术领域，具体提供一种LED图形衬底及LED外延片，其中，所述图形衬底包括复数个 |
| 12 | CN205666250U | 一种具有双反射层的发光二极管 | 2016.10.26 | 本实用新型提供了一种具有双反射层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次位于所述衬底上的N型GaN层、 |
| 13 | CN103280502B | 发光器件及其制作方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种老化漏电少、光效高的发光器件及其制作方法。其发光器件，至少包括：半导体外延叠层，包含 |
| 14 | CN206127421U | 一种应用于MOCVD机台腔室的组件 | 2017.04.26 | 本实用新型提出了一种应用于MOCVD机台腔室的组件，包括多个遮挡板和若干个晶圆承载盘，所述遮挡板包括 |
| 15 | CN206059420U | 一种具有双空穴存储层的发光二极管 | 2017.03.29 | 本实用新型一种具有双空穴存储层的发光二极管，其至少包括一衬底，及依次位于所述衬底上的缓冲层、N型层、 |
| 16 | CN206040683U | 具有纳米量子点层的发光二极管 | 2017.03.22 | 本实用新型属于半导体领域，公开了一种具有纳米量子点层的发光二极管，其至少包括一衬底，以及依次层叠于所 |
| 17 | CN103531689B | 发光器件 | 2017.02.22 | 本发明公开了一发光器件。其一种适用于SMT的发光二极管芯片，至少包括：发光二极管外延结构，具有相对的 |
| 18 | CN205960012U | 一种具有电流扩展能力的发光二极管 | 2017.02.15 | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有电流扩展能力的发光二极管，本实用新型用P型氮化镓层与非 |
| 19 | CN205960013U | 一种具有空心光触媒微球层的发光二极管 | 2017.02.15 | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有空心光触媒微球层的发光二极管，其包括衬底，以及于所述衬 |
| 20 | CN103730556B | 发光二极管芯片及其制作方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一发光二极管芯片及其制作方法，该发光二极管芯片，包括：外延层，顶层具有若干个凸起部和凹陷 |
| 21 | CN205911289U | 一种晶圆裂片装置 | 2017.01.25 | 一种晶圆裂片装置，至少包括：晶圆，所述晶圆具有复数条切割道；加工平台，所述晶圆置于所述加工平台上；劈 |
| 22 | CN205863212U | 一种具有复合式多量子阱层的发光二极管 | 2017.01.04 | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其至少包括：一衬底，及依 |
| 23 | CN205855330U | 自动塞环机 | 2017.01.04 | 本实用新型涉及自动塞环机，其特征在于：至少包括，一倾斜的重力式轨道；复数个铁环，位于所述重力式轨道的 |
| 24 | CN205863156U | 一种晶片减薄用载盘及上片机 | 2017.01.04 | 一种晶片减薄用载盘及上片机，用于吸附固定晶片，其中载盘具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上具 |
| 25 | CN106299070A | 一种发光二极管外延层及其制备方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种发光二极管外延层及其制备方法，先于衬底上利用高温条件先生长P型氮化镓层，获得优良的晶 |
| 26 | CN205748201U | 一种接触式测厚仪及晶片厚度测量装置 | 2016.11.30 | 一种接触式测厚仪，至少包括：千分表、中空的套筒、测量杆和测量头，所述套筒贯穿千分表，所述测量杆的上部 |
| 27 | CN205657087U | 一种发光二极管 | 2016.10.19 | 本实用新型提供了一种发光二极管，包括组装的一外延结构和一支架，外延结构的底部具有一通孔，支架具有一凸 |
| 28 | CN205645881U | 一种具有背镀DBR层的发光二极管 | 2016.10.12 | 本实用新型一种具有背镀DBR层的发光二极管，包括：一衬底、一外延层，一第一DBR层、所述第一DBR层 |
| 29 | CN106025009A | 一种发光二极管及其制备方法 | 2016.10.12 | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种发光二极管及其制备方法，利用低生长速率、高Mg/Ga摩尔比及高Mg |
| 30 | CN205630286U | 一种晶片载盘 | 2016.10.12 | 一种晶片载盘，所述载盘表面放置有复数个晶片，其特征在于：所述载盘还具有定位线，所述定位线呈与所述载盘 |
| 31 | CN205645880U | 一种具有金属粘附层的发光二极管 | 2016.10.12 | 本实用新型提供一种具有金属粘附层的发光二极管，从下至上至少包括衬底，依次层叠于所述衬底之上的由N型层 |
| 32 | CN103904174B | 发光二极管芯片的制作方法 | 2016.08.24 | 本发明提供一种激光划片、蚀刻和背镀反射层技术制作发光二极管芯片的方法，采用2次激光偏移背划，增加划宽 |
| 33 | CN205473974U | 一种金属有机化合物容器 | 2016.08.17 | 本实用新型公开的金属有机化合物容器，包括瓶体，通过在进气管口设置的气体减速扩散装置，对进入瓶体的气体 |
| 34 | CN205488188U | 一种具有电流扩展层的外延结构 | 2016.08.17 | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有电流扩展层的外延结构，至少包括：N型层、发光层、低温P |
| 35 | CN205488195U | 一种半导体发光元件 | 2016.08.17 | 一种半导体发光元件，其通过在衬底与缓冲层之间插入一层阳极氧化铝层，并将缓冲层沉积于阳极氧化铝孔洞结构 |
| 36 | CN205452239U | 一种晶圆厚度测量装置 | 2016.08.10 | 本实用新型提供了一种晶圆厚度测量装置，至少包括量测平台和位于所述量测平台上方的厚度测量机构，其特征在 |
| 37 | CN205443444U | 一种MOCVD反应腔室的清理装置 | 2016.08.10 | 本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的清理装置，属于半导体制造技术领域，本实用新型通过在承载盘上铰接 |
| 38 | CN205443507U | 一种准确定位晶圆长晶曲线的MOCVD设备 | 2016.08.10 | 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种准确定位晶圆长晶曲线的MOCVD设备，通过更改载盘上表面凹 |
| 39 | CN102593294B | 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 | 2016.08.03 | 本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石 |
| 40 | CN105826438A | 一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法 | 2016.08.03 | 本发明属于半导体领域，涉及一种具有金属缓冲层的发光二极管及其制备方法，其至少包括一衬底及依次位于所述 |
| 41 | CN105762266A | 一种具有导热层的发光二极管及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有导热层的发光二极管及其制备方法，至少包括一衬底，及依次位于 |
| 42 | CN105702817A | 一种发光二极管及其制备方法 | 2016.06.22 | 一种发光二极管及其制备方法，包括提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；在所述衬底表面依次生长缓冲层 |
| 43 | CN105679897A | 发光二极管及其制备方法 | 2016.06.15 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法，至少包括：N型层、有源层、及位于有源层 |
| 44 | CN105633234A | 氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 | 2016.06.01 | 本发明提供了一种氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜( |
| 45 | CN103560189B | 发光二极管芯片及其制作方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，该发光二极管芯片，包括：具有凹凸微结构的外延层；图案化的 |
| 46 | CN105590839A | 氮化物底层、发光二极管及底层制备方法 | 2016.05.18 | 本发明提供了一种氮化物底层、发光二极管及底层制备方法，采用物理气相法沉积氮化铝层：在沉积过程中于反应 |
| 47 | CN105591001A | 一种发光二极管及其制作方法 | 2016.05.18 | 本发明属于半导体领域，涉及一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管，至少包括一衬底、依次沉积于所述衬 |
| 48 | CN205248232U | 一种等离子体刻蚀设备 | 2016.05.18 | 一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括：放置载盘的非真空第一腔体、传送载盘的第二 |
| 49 | CN105576144A | 发光二极管及其制备方法 | 2016.05.11 | 发光二极管，包括N型层、应力释放层、发光层、P型层，其特征在于：所述发光层至少包括一具有量子效应的纳 |
| 50 | CN105552176A | 一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构的制备方法 | 2016.05.04 | 一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构的制备方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供一衬底；沉积缓冲层 |
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